Datasheet Microchip LND150N3-G-P002 — Datenblatt
| Hersteller | Microchip |
| Serie | LND150 |
| Artikelnummer | LND150N3-G-P002 |
Der LND150 ist ein Hochspannungstransistor im N-Kanal-Verarmungsmodus (normalerweise eingeschaltet), der die laterale DMOS-Technologie verwendet
Datenblätter
Datasheet LND150
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N-Channel Depletion-Mode DMOS FET Features
N-Channel Depletion-Mode DMOS FET Features
Auszug aus dem Dokument
Preise
Status
| Lifecycle Status | Production (Appropriate for new designs but newer alternatives may exist) |
Verpackung
| Package | TO-92 |
Parameter
| Automotive Recommended | No |
| BVdsx min | 500 V |
| Lead Count | 3 |
| Package Width | - |
| RDS | 1000 Ω |
| Vgs(off) max | -3.0 V |
| Vgs(off) min | -1.0 V |
Modellreihe
Serie: LND150 (7)
- LND150K1-G LND150N3-G LND150N3-G-P002 LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P013 LND150N3-G-P014 LND150N8-G
Herstellerklassifikation
- High-Voltage Interface > MOSFETs - Interface > Depletion-Mode N-Channel
Andere Namen:
LND150N3GP002, LND150N3 G P002