Datasheet Microchip LND150N3-G — Datenblatt

HerstellerMicrochip
SerieLND150
ArtikelnummerLND150N3-G

DMOS-FET im N-Kanal-Verarmungsmodus

Datenblätter

Datasheet LND150
PDF, 610 Kb, Sprache: en, Datei hochgeladen: Nov 15, 2017, Seiten: 7
N-Channel Depletion-Mode DMOS FET Features
Auszug aus dem Dokument

Preise

Status

Lifecycle StatusProduction (Appropriate for new designs but newer alternatives may exist)

Verpackung

PackageTO-92

Parameter

Automotive RecommendedNo
BVdsx min500 V
Lead Count3
Package Width-
RDS1000 Ω
Vgs(off) max-3.0 V
Vgs(off) min-1.0 V

Modellreihe

Herstellerklassifikation

  • High-Voltage Interface > MOSFETs - Interface > Depletion-Mode N-Channel

Andere Namen:

LND150N3G, LND150N3 G