Datasheet Texas Instruments CSD19536KCS — Datenblatt

HerstellerTexas Instruments
SerieCSD19536KCS
ArtikelnummerCSD19536KCS
Datasheet Texas Instruments CSD19536KCS

100 V, N-Kanal-NexFET ™ -Leistungs-MOSFET 3-TO-220 -55 bis 175

Datenblätter

CSD19536KCS 100 V N-Channel NexFET Power MOSFET datasheet
PDF, 404 Kb, Revision: B, Datei veröffentlicht: Oct 20, 2014
Auszug aus dem Dokument

Preise

Status

Lifecycle StatusActive (Recommended for new designs)
Manufacture's Sample AvailabilityYes

Verpackung

Pin3
Package TypeKCS
Industry STD TermTO-220
JEDEC CodeR-PSFM-T
Package QTY50
CarrierTUBE
Device MarkingCSD19536KCS
Width (mm)8.7
Length (mm)10.16
Thickness (mm)4.58
Pitch (mm)2.54
Max Height (mm)4.7
Mechanical DataHerunterladen

Parameter

ConfigurationSingle
ID, Silicon limited at Tc=25degC259 A
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max)400 A
PackageTO-220 mm
QG Typ118 nC
QGD Typ17 nC
Rds(on) Max at VGS=10V2.7 mOhms
VDS100 V
VGS20 V
VGSTH Typ2.5 V

Öko-Plan

RoHSCompliant
Pb FreeYes

Anwendungshinweise

  • Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs
    PDF, 1.4 Mb, Datei veröffentlicht: Nov 16, 2011

Herstellerklassifikation

  • Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor