Datasheet Texas Instruments CSD19532Q5BT — Datenblatt
Hersteller | Texas Instruments |
Serie | CSD19532Q5B |
Artikelnummer | CSD19532Q5BT |
100 V, 4,0 mOhm, SON5x6 N-Kanal NexFET ™ Leistungs-MOSFET 8-VSON-CLIP -55 bis 150
Datenblätter
CSD19532Q5B 100 V N-Channel NexFET Power MOSFET datasheet
PDF, 867 Kb, Revision: B, Datei veröffentlicht: Jun 13, 2017
Auszug aus dem Dokument
Preise
Status
Lifecycle Status | Active (Recommended for new designs) |
Manufacture's Sample Availability | No |
Verpackung
Pin | 8 |
Package Type | DNK |
Package QTY | 250 |
Carrier | SMALL T&R |
Device Marking | CSD19532 |
Width (mm) | 6 |
Length (mm) | 5 |
Thickness (mm) | .95 |
Mechanical Data | Herunterladen |
Parameter
Configuration | Single |
ID, Silicon limited at Tc=25degC | 140 A |
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 400 A |
Package | SON5x6 mm |
QG Typ | 48 nC |
QGD Typ | 8.7 nC |
Rds(on) Max at VGS=10V | 4.9 mOhms |
VDS | 100 V |
VGS | 20 V |
VGSTH Typ | 2.6 V |
Öko-Plan
RoHS | Compliant |
Pb Free | Yes |
Anwendungshinweise
- Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETsPDF, 1.4 Mb, Datei veröffentlicht: Nov 16, 2011
Modellreihe
Serie: CSD19532Q5B (2)
- CSD19532Q5B CSD19532Q5BT
Herstellerklassifikation
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor