Datasheet Texas Instruments CSD19532Q5BT — Datenblatt

HerstellerTexas Instruments
SerieCSD19532Q5B
ArtikelnummerCSD19532Q5BT
Datasheet Texas Instruments CSD19532Q5BT

100 V, 4,0 mOhm, SON5x6 N-Kanal NexFET ™ Leistungs-MOSFET 8-VSON-CLIP -55 bis 150

Datenblätter

CSD19532Q5B 100 V N-Channel NexFET Power MOSFET datasheet
PDF, 867 Kb, Revision: B, Datei veröffentlicht: Jun 13, 2017
Auszug aus dem Dokument

Preise

Status

Lifecycle StatusActive (Recommended for new designs)
Manufacture's Sample AvailabilityNo

Verpackung

Pin8
Package TypeDNK
Package QTY250
CarrierSMALL T&R
Device MarkingCSD19532
Width (mm)6
Length (mm)5
Thickness (mm).95
Mechanical DataHerunterladen

Parameter

ConfigurationSingle
ID, Silicon limited at Tc=25degC140 A
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max)400 A
PackageSON5x6 mm
QG Typ48 nC
QGD Typ8.7 nC
Rds(on) Max at VGS=10V4.9 mOhms
VDS100 V
VGS20 V
VGSTH Typ2.6 V

Öko-Plan

RoHSCompliant
Pb FreeYes

Anwendungshinweise

  • Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs
    PDF, 1.4 Mb, Datei veröffentlicht: Nov 16, 2011

Modellreihe

Serie: CSD19532Q5B (2)

Herstellerklassifikation

  • Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor